例Al2O3+N2+3C=2AlN+3CO 其中N元素转移电子的摩数是不是6×1,而KClO3+6HCl=KCl+3Cl2+3H2O中被氧化的氯离子与被还原的氯离子的物质的量之比是用1×5中的5比上5×1的1这两个同样问的都是摩数,而一个是6×1=

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/04/29 21:00:57

例Al2O3+N2+3C=2AlN+3CO 其中N元素转移电子的摩数是不是6×1,而KClO3+6HCl=KCl+3Cl2+3H2O中被氧化的氯离子与被还原的氯离子的物质的量之比是用1×5中的5比上5×1的1这两个同样问的都是摩数,而一个是6×1=
例Al2O3+N2+3C=2AlN+3CO 其中N元素转移电子的摩数是不是6×1,而KClO3+6HCl=KCl+3Cl2+3H2O中被氧化的氯离
子与被还原的氯离子的物质的量之比是用1×5中的5比上5×1的1这两个同样问的都是摩数,而一个是6×1=6一个是后面的5或者是1这两个有什么区别?

例Al2O3+N2+3C=2AlN+3CO 其中N元素转移电子的摩数是不是6×1,而KClO3+6HCl=KCl+3Cl2+3H2O中被氧化的氯离子与被还原的氯离子的物质的量之比是用1×5中的5比上5×1的1这两个同样问的都是摩数,而一个是6×1=
1*5代表1个+5价的Cl被还原,这一个Cl需要5个电子.因此1代表+5价的Cl的个数,5代表1个+5价的Cl得到的电子数;
5*1代表5个-1价的Cl被氧化,每一个Cl失去1个电子.因此5代表-1价的Cl的个数,1代表1个-1价的Cl失去的电子数.
第一个方程式转移的电子数应该是2*3=6,而不是6*1=6.

第一个反应的还原器是C 第二个是KCL 与HCL .他们是不一样的哦

是3*2...
5*1是表示有1个Cl原子反应,在反应中得到了5e-,前面的3*2表示2个N原子反应,每个N得到3e-.

Al2O3+N2+3C=2AlN+3CO电子转移的方向和数目 电子转移数目的计算Al2O3+N2+3C=高温=2AlN+3CO每生成1mol的AlN需要转移多少mol电子 Al2O3+N2+3C=2AlN+3CO在该反应中,氧化剂是什么 ,还原剂是 .为什么 重庆一中2014级高一期末化学9,氮化铝(AlN)广泛应用于电子陶瓷等工业领域,在一定条件下,AlN可通过反应:高温Al2O3+N2+3C====2 AlN+3CO合成,下列叙述正确的是A 上述反应中,N2是还原剂,Al2O3是氧化 Al2O3+N2+3C===(高温)2AlN+3CO .每生成1 mol AIN需转移3 mol 电子 怎么解的啊? 氮化铝的合成氧元素的化合价怎样变化Al2O3+N2+3C=高温=2AlN+3CO 用双线桥法分析下列氧化还原反应 Al2O3+N2+3C=2AlN+3CO NaH+H2O=NaOH+H2 关于Al2O3+N2+3C→2ALN+3CO0.1mol的C参加反应,转移了( )d电子?是0. 化超细氮化铝粉末被广泛应用于大规模集成电路生产等领域.其制取原理为:Al2O3+N2+3C 2AlN+3CO由于反应 Al2O3+N2+3C 2AlN+3CO 化学方程式中氧化剂和还原剂的物质的量之比是多少 Al2O3+N2+3C=高温=2AlN+3COA.在氮化铝的合成反应中,N2是还原剂,Al2O3是氧化剂B.上述反应中每生成2molAlN,N2得到3mol电子C.氮化铝中氮元素的化合价为-3价D.氮化铝晶体属于分子晶体B不懂 配平上述反应 Al2O3+N2+C→ALN+CO若生成2MOLALN,N2得到________MOL电子 超细氮化铝粉末被广泛应用于大规模集成电路生产等领域.其制取原理为:Al2O3+N2+3C 2AlN+3CO.超细氮化铝粉末被广泛应用于大规模集成电路生产等领域.其制取原理为:Al2O3+N2+3C 2AlN+3CO由 氮化铝在一定条件下可通过如下反应制得:Al2O3+N2+3C=2AlN+3CO,现欲制备13.3吨氮化铝,需要参加反应的氮气质量多少? Al2O3+N2+C=高温=AlN+CO 如何配平从右边配的话N变化了3价,但是有两个氮,所以要6了呀.碳的话变化了2价,所以是2,所以应该6*1AlN前面写1,2*3CO前面写2.这样不就不对了么.正确的应该是 1Al2O3+1N2+3C=高温= Al2O3+N2+3C=2AlN+3CO中,谁是氧化剂,谁是还原剂,怎样区分氮化铝(AlN)具有耐高温、抗冲击、导热性好等优良性质,被广泛应用于电子工业、陶瓷工业等领域.在一定条件下,氮化铝可通过如下反应 在一定条件下,氮化铝可通过反应AlO3+N2+3C=2AlN+3CO合成 化学题:超细氮化铝粉末被广泛应用于大规模集成电路生产等领域.其制取原理为:Al2O3+N2+3C 2AlN+3CO超细氮化铝粉末被广泛应用于大规模集成电路生产等领域.其制取原理为:Al2O3+N2+3C