为什么在半导体材料中电子与空穴移动速度不同

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/04/28 05:02:51

为什么在半导体材料中电子与空穴移动速度不同
为什么在半导体材料中电子与空穴移动速度不同

为什么在半导体材料中电子与空穴移动速度不同
由爱因斯坦方程 D/u = KT/q
D 载流子(电子或空穴)扩散系数,u 载流子迁移率 KT/q除T温度外其他为常数.
由于扩散系数的不同,就是说在相同温度下电子与空穴的迁移率不同.其速度为迁移率和电势能的乘积,所以速度不同.
PS 至于扩散系数,是由平均自由城和平均自由时间等搞出~空穴的D一般比电子的D小~~

为什么在半导体材料中电子与空穴移动速度不同 为什么三极管PN结中的电场能阻止电子与空穴的移动?为什么三极管PN结中的电场能阻止两边的电子与空穴的移动? 为什么三极管PN结中的电场能阻止电子与空穴的移动? 导体与半导体 载流子为什么不同,导体中不也是束缚电子转化为自由电子的吗,为什么导体中没有空穴啊 半导体中空穴的运动我们都知道半导体中有两种载流子,一种是电子,还有一种是空穴,空穴是电子填补空位的现象,其实是电子的移动,我们假设成空穴的运动,现在假设空穴在向右运动,那么当空 在pn结中 电子和空穴为什么有扩散运动?扩散运动的原因是什么? 电子在导线中移动的速度有多快?电子的速度与电场的速度有什么区别? 本征半导体空穴为什么可以看做是载流子?书上说价点去填补空穴所以说可以看做是空穴在动.但电子的移动本生产生电流算空穴时又看成电子的去填补移动.不是重复了吗? PN结中P型区,只是少了空穴而已.怎么会有负离子存在呢P型区中刚开始是空穴多,但是空穴只是电子的移动形成的,当空穴与N型区中的电子复合后,N型区少了电子,自然会有带正电的离子存在,而P 为什么称空穴是载流子?在空穴导电时,电子运动吗? 空穴为什么会移动自由电子可以移动 空穴在共价键上 共价键在两个原子核之间 原子核是不会动的 空穴为什么还可以自由扩散 三极管扩散到基极的电子怎么不直接从基极流出NPN三极管,书上说发射区的电子越过发射结到达基区,在扩散的过程中有部分电子与基区中的空穴复合而消失,由于基区很薄且空穴的浓度很低,所 在光电二极管中,为什么PN结受光照时就会在结区产生电子空穴对,是不是光电效应 在光电二极管中,为什么PN结受光照时就会在结区产生电子空穴对,是不是光电效应 当PN结外加正向电压时,由于空穴或电子中和了不能移动的杂质正负离子,使空间电荷区变窄由于空穴或电子中和了不能移动的杂质正负离子,使空间电荷区变窄,那么在杂质半导体中,空穴或自由 二极管两端的电子和空穴为什么不均匀的扩散而在中间形成电场?我知道杂质原子不能动,两端电子空穴相互抵消,中间的地方也应该被中和不应该有电场啊! 电子浓度和空穴浓度的乘积是一个常数,与掺杂浓度无关?掺杂浓度不就决定了一部分电子的浓度,和空穴浓度?为什么无关 当霍尔效应发生在金属导体中时,是由电子的移动决定电势吗?那被剥除了电子的正离子不移动吗?还是有空穴这个例子是高中教材选修3-1上的书后例子,但是如果换成金属导体,正离子会不会移