作业帮硅外延的基本原理
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/04/30 03:13:37
硅外延的基本原理
硅外延的基本原理
硅外延的基本原理
所有的“外延生长”大同小异.
在适合的晶体底层上的单个晶体半导体薄膜的生长就是外延生长.底层通常是由和沉积的半导体同种物质的晶体组成,但也不总是这样.高质量的单晶硅薄膜已经可以在合成蓝宝石或尖晶石wafer上生长了,因为这些物质都有像硅一样可以让晶核生长的晶体结构.合成蓝宝石或尖晶石的成本超过同尺寸的硅wafer太多了,所以大多数外延生长沉积还是在硅底层上生长硅薄膜.
有几种不同的方法来生长外延（epi）层.一种比较粗糙的方法是把熔融的半导体物质注入底层上,经过一段时间后结晶,然后把多于的液体去除.然后wafer的表面可以重新研磨抛光形成外延层.很明显这个liquid-phase epitaxy的缺点是重新研磨的高成本和外延层厚度精确控制的难度.
大多数现代外延沉积使用低压化学气相沉积(LPCVD)外延生长.