作业帮为什么当三极管基极电流Ib有一个微小的变化时,集电极电流Ic会有一个很大的变化?
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/04/27 19:40:42
为什么当三极管基极电流Ib有一个微小的变化时,集电极电流Ic会有一个很大的变化?
为什么当三极管基极电流Ib有一个微小的变化时,集电极电流Ic会有一个很大的变化?
为什么当三极管基极电流Ib有一个微小的变化时,集电极电流Ic会有一个很大的变化?
我网上给你粘贴一段,你仔细读读就能了解
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管.而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,（其中,N表示在高纯度硅中加入磷,是指取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而p是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电）.两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理. 对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c. 当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Ebo. 在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流了. 由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic,只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给,从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得： Ie=Ib+Ic 这就是说,在基极补充一个很小的Ib,就可以在集电极上得到一个较大的Ic,这就是所谓电流放大作用,Ic与Ib是维持一定的比例关系,即： β1=Ic/Ib 式中：β1--称为直流放大倍数, 集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为： β= △Ic/△Ib 式中β--称为交流电流放大倍数,由于低频时β1和β的数值相差不大,所以有时为了方便起见,对两者不作严格区分,β值约为几十至一百多. 三极管是一种电流放大器件,但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用,通过电阻转变为电压放大作用. 三极管放大时管子内部的工作原理 1、发射区向基区发射电子 电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie.同时基区多数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度,可以不考虑这个电流,因此可以认为发射结主要是电子流. 2、基区中电子的扩散与复合 电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic.也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合,扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力. 3、集电区收集电子 由于集电结外加反向电压很大,这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散,同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn.另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动,流向基区形成反向饱和电流,用Icbo来表示,其数值很小,但对温度却异常敏感.主要参数