SRAM,DRAM,ROM,PROM,EPROM,EEPROM基本存储原理

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/07 06:18:14

SRAM,DRAM,ROM,PROM,EPROM,EEPROM基本存储原理
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SRAM,DRAM,ROM,PROM,EPROM,EEPROM基本存储原理
SRAM利用寄存器来存储信息,所以一旦掉电,资料就会全部丢失,只要供电,它的资料就会一直存在,不需要动态刷新,所以叫静态随机存储器.
DRAM 利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息,一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷,有电荷代表1,无电荷代表0.但时间一长,由于栅极漏电,代表1的电容会放电,代表0的电容会吸收电荷,这样会造成数据丢失,因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作.刷新操作定期对电容进行检查,若电量大于满电量的1/2,则认为其代表1,并把电容充满电;若电量小于 1/2,则认为其代表0,并把电容放电,藉此来保持数据的连续性.
PROM(可编程ROM)则只能写入一次,写入后不能再更改.
EPROM(可擦除PROM)这种EPROM在通常工作时只能读取信息,但可以用紫外线擦除已有信息,并在专用设备上高电压写入信息.
EEPROM(电可擦除PROM),用户可以通过程序的控制进行读写操作.