单向可控硅与双向可控硅的导通条件及特点是什么?

单向可控硅与双向可控硅的导通条件及特点是什么?
单向可控硅与双向可控硅的导通条件及特点是什么?

单向可控硅与双向可控硅的导通条件及特点是什么?
一、单向可控硅工作原理
可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压,二是控制极也要加正向电压.以上两个条件必须同时具备,可控硅才会处于导通状态.另外,可控硅一旦导通后,即使降低控制极电压或去掉控制极电压,可控硅仍然导通.
可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压,使阳极电流小于最小维持电流以下.
二、单向可控硅的引脚区分
对可控硅的引脚区分,有的可从外形封装加以判别,如外壳就为阳极,阴极引线比控制极引线长.从外形无法判断的可控硅,可用万用表R×100或R×1K挡,测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻,当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的范围）时,黑表笔所接的是控制极G,红表笔所接的是阴极C,余下的一只管脚为阳极A.
三、单向可控硅的性能检测
可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行.第一是三个PN结应完好；第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断,不导通；第三是当控制极开路时,阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流,给阴极与阳极加正向电压时,可控硅应当导通,把控制极电流去掉,仍处于导通状态.
用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻,就可对前三个方面的好坏进行判断.具体方法是：用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压）,此两个阻值均应很大.电阻值越大,表明正反向漏电电流愈小.如果测得的阻值很低,或近于无穷大,说明可控硅已经击穿短路或已经开路,此可控硅不能使用了.
用R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻,正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路.
用R×1k或R×100挡,测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右,如出现正向阻值接近于零值或为无穷大,表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏.反向阻值应很大,但不能为无穷大.正常情况是反向阻值明显大于正向阻值.
万用表选电阻R×1挡,将黑表笔接阳极,红表笔仍接阴极,此时万用表指针应不动.红表笔接阴极不动,黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右.如阳极接黑表笔,阴极接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏.
四、可控硅的使用注意事项
选用可控硅的额定电压时,应参考实际工作条件下的峰值电压的大小,并留出一定的余量.
1、选用可控硅的额定电流时,除了考虑通过元件的平均电流外,还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素.在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值.
2、使用可控硅之前,应该用万用表检查可控硅是否良好.发现有短路或断路现象时,应立即更换.
3、严禁用兆欧表（即摇表）检查元件的绝缘情况.
4、电流为5A以上的可控硅要装散热器,并且保证所规定的冷却条件.为保证散热器与可控硅管心接触良好,它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂,以帮于良好的散热.
5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置.
6、要防止可控硅控制极的正向过载和反向击穿.
双向可控硅的工作原理
1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成
当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态.此时,如果从控制极G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2.因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2.此时,电流ic2再经BG1放大,于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2.这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通.
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用,所以一旦可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅是不可关断的.
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化
2,触发导通
在控制极G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏,P2区的空穴时入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT.在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上,加上IGT的作用,使可控硅提前导通,导致图3的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快.