看图第十六题,要求有解析啊

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/04/28 17:32:36

看图第十六题,要求有解析啊
看图第十六题,要求有解析啊
 

看图第十六题,要求有解析啊
A.SiCl4的是分子晶体,SiC是原子晶体,熔点原子晶体>分子晶体,所以SiCl4的熔点比SiC熔点低,故A正确;
B.晶体硅中1个Si原子与周围的4个Si形成正四面体空间网状结构,每个Si原子形成4个Si-Si键,每个Si-Si键为1个
Si原子通过12Si-Si键,所以1mol晶体硅中含有Si-Si键为1mol×4×12=2mol,拆开1mol晶体硅中的化学键所吸收的能量为176kJ/mol×2mol=352kJ,故B错误;
C.相对分子质量越大,范德华力越大,熔沸点越高,故C正确;
D.晶体硅中1个Si原子与周围的4个C形成正四面体空间网状结构,每个Si原子形成4个Si-C键,每个Si-C键为1个Si原子通过12Si-C键,所以1mol晶体硅中含有Si-C键为1mol×4×12=2mol,拆开1mol晶体硅中的化学键所吸收的能量为347kJ/mol×2mol=694kJ,故D正确.
故选B.

说真的这个题一般基础知识不扎实的很难做对,因为他所给的题意根本就是个幌子,让我来答我也答不对。

先说A和C选项,根本和题意就搭不上,完全要靠自己基础知识,物理变化涉及不到化学键的拆分,物理性质与分子大小,分子结构有关。至于为什么是对的楼上有兄弟已经解释过了(对不对我也不知道 哈哈)
再说D选项,看起来似乎和题意有关,可是表格里根本没有C—C的键能,要判断是否正确还是要看...

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说真的这个题一般基础知识不扎实的很难做对,因为他所给的题意根本就是个幌子,让我来答我也答不对。

先说A和C选项,根本和题意就搭不上,完全要靠自己基础知识,物理变化涉及不到化学键的拆分,物理性质与分子大小,分子结构有关。至于为什么是对的楼上有兄弟已经解释过了(对不对我也不知道 哈哈)
再说D选项,看起来似乎和题意有关,可是表格里根本没有C—C的键能,要判断是否正确还是要看你化学键这方面基础知识储备如何。
至于B选项,错在概念的混淆。晶体硅就是单一的Si原子组成的,里面不存在Si—Si化学键。楼上所解释的单晶硅结构,硅与硅之间的力,是原子间的作用力,而非化学键。

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