纳米半导体带隙变宽的原因
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/04/30 09:51:32
纳米半导体带隙变宽的原因
纳米半导体带隙变宽的原因
纳米半导体带隙变宽的原因
能带理论是关于电子在周期性势场中的运动状态的理论.对于纳米材料,已经失去了周期性,故严格说来,谈不上有能带,也不存在能隙概念.
但是对于纳米材料,可以讨论电子的量子能级概念.根据测不准关系,随着尺寸的缩小,电子的动量和能量的变化范围增大,这就意味着能级间距变宽.
纳米半导体带隙变宽的原因
半导体纳米线有那些?清说出半导体纳米线的材料种类
直接带隙半导体与间接带隙半导体的异同
半导体掺杂可以使被掺杂物禁带变宽,简单的说是怎么回事?如题
.分析原子吸收光谱分析中谱线变宽的原因
纳米半导体ZnS的带隙(能隙)是多少?上下值各是多少?如果要选一种有机聚合物与之组成太阳能电池,需要符合什么条件?请多给几种有机聚合物的带隙值.
纳米硫化锌是半导体吗?还有问一下纳米硫化锌的光催化原理,
半导体纳米微粒具有光催化性的原因对了,100字以内,超过100字的不用来了,接受copy
硅半导体的工作温度高的原因
霍尔效应在半导体中特别显著原因是因为半导体的什么?原因有两个,
半导体的作用为什么有的电器用导体,有的电器用半导体,半导体可以省电吗?为什么电脑和收音机之类的都用半导体,请说明原因,
p型半导体的多子是空穴,所以带正电对不对
N型半导体的多数载流子是电子,而P型半导体是空穴.所以说N型半导体带负电,P型带正电,N型半导体的多数载流子是电子,P型半导体的多数载流子是空穴.所以说N型半导体带负电,P型半导体带正电,
纳米级材料发光的原因请问纳米级材料为什么会发光?
Bi2O3是直接带隙半导体还是间接带隙半导体?希望能给出理由,越详细越好,如果能给出有关于这个的文献更好,可以追加分的哟~
半导体与晶体管请问晶体管属于半导体的范畴么?另外能介绍下半导体的发展史么?尤其是最近十年,例如2002年推出了90纳米工艺,重点年的介绍,谢谢!
纳米材料都是胶体么原因说主要的谢谢
纳米亚沙漠沿海岸线延伸的原因