作业帮为什么说P型半导体的多数载流子是空穴.既然掺入了3价硼,空穴是硼和硅原子结合时共价键少一个电子造成的,那么这个空穴应该不带电才是.如果被填补,应该是负离子,那么在填补空穴的时候,
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/04/29 17:08:57
为什么说P型半导体的多数载流子是空穴.既然掺入了3价硼,空穴是硼和硅原子结合时共价键少一个电子造成的,那么这个空穴应该不带电才是.如果被填补,应该是负离子,那么在填补空穴的时候,
为什么说P型半导体的多数载流子是空穴.
既然掺入了3价硼,空穴是硼和硅原子结合时共价键少一个电子造成的,那么这个空穴应该不带电才是.如果被填补,应该是负离子,那么在填补空穴的时候,空穴在移动,负离子不是也相当于在移动(电子转移使负电荷转移)吗,为什么不把负离子也当做多子呢
P型半导体电流是空穴电流和负离子电流之和吗
如果能给出一个具体的情景描述就好了,比如在电场左右下,电子怎么从某某共价键跃迁至某某空穴形成新的共价键,这个空穴是正电或是负电(应该正负都有吧),在宏观下怎么看成电流（正电流、负电流也都有吗,是否总电流是两者之和呢）?
为什么说P型半导体的多数载流子是空穴.既然掺入了3价硼,空穴是硼和硅原子结合时共价键少一个电子造成的,那么这个空穴应该不带电才是.如果被填补,应该是负离子,那么在填补空穴的时候,
首先空穴不是真实存在的,是人们虚拟.当一个电子有价带跃迁到导带的同时,价带中就产生了一个空量子态,人们虚拟为空穴.且空穴（空位）也不能移动的,只是因为空位相邻的共价键上的电子很容易跑到这个空位上,这样其相邻的共价键上就形成了一个新的空位,其效果就好像空位在移动.
下面来回答您的问题：
P型半导体之所以空穴为多子的原因是：受主杂质原子（如3价硼）能在价带中产生空穴,但不在导带中产生电子（P表示带正电的空穴）.具体的描述：硼的三个价电子与硅都形成了共价键,而有个共价键是空的.如果有一个电子填充这个“空”位,因为此时的硼原子带负电,它的能量必须比价电子的能量高.但是,占据这个“空”位的电子并不具有足够的能量进入导带,它的能量远小于导带底能量.当硼原子引入的空位被填满时,其他价电子的位置将变空.可以把出来的位置想象成半导体材料中的空穴.空位的不断被填充,不断有新的空位产生,我们可以看出空位在移动,因此多子为空穴.您提到的负离子即填充空位的负离子,仅能使价带电子跃迁到某一能级Ea而非跃迁到导带的电子.整个过程就是这样的,在价带产生了空穴,而不再导带产生电子.
N型半导体之所以电子为多子的原因是：施主杂质原子增加导带电子,但并不产生价带空穴.（N表示带负电的电子）