PN结问题,P型半导体的空穴问题P型半导体（P为Positive的字头,由于空穴带正电而得此名）：掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中,由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子

来源：学生作业帮助网编辑：作业帮时间：2024/05/02 00:09:03

PN结问题,P型半导体的空穴问题P型半导体（P为Positive的字头,由于空穴带正电而得此名）：掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中,由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子
PN结问题,P型半导体的空穴问题
P型半导体（P为Positive的字头,由于空穴带正电而得此名）：掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中,由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代,硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候,会产生一个“空穴”,这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”,使得硼原子成为带负电的离子.这样,这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”（“相当于”正电荷）,成为能够导电的物质,来自百度百科.我想知道硼和硅的空穴是怎样形成的,硼的最外层电子是3,硅的最外层电子是4 最外层形成共价键的话是7不能保持8个电子的稳定结构.那一个电子从哪里借,从别的硅和硼原子吗?还是从N型半导体的多余的那一个自由电子,如果是从N借的话,那么这不能叫空穴吧,空穴带正电,

不管是N型还是P型还是本征半导体,稳定后其中的空穴和电子个数是相等的. 空穴的概念可以理解为30个人坐30张凳子,受外界干扰后,老师让他们随机换位子,最后有人站着必然有位置空着.

引入P型N型只是加入相同的位置与人或减去相同的位置和人,调位置变得复杂或者简单一点.硅在稳定的时候可以理解为不调位置,所以没有空位子即空穴,只是外加的杂质引起的反复抢位置,

对于单个元素,它们空间排列并不是都像硅那么整齐的,晶体硼的结构单元是若干个正三角形的多面体,每个单元中有12个硼原子,每个硼原子与另外5个硼原子相连. 是原子晶体.而有些原子由于条件原因时不能单独存在的

PN结问题,P型半导体的空穴问题P型半导体（P为Positive的字头,由于空穴带正电而得此名）：掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中,由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子晶体管的PN结是如何形成的初学模拟电路,P型半导体中的空穴是多数载流子,N型半导体中的电子是多数载流子电子从N向P运动,空穴相反,N失去电子带正电,P失去空穴带负电,我对为什么在“PN相接为什么当光线照射太阳能电池表面时,PN结中的N型半导体的空穴会往P型区移动? p型半导体的多子是空穴,所以带正电对不对 p型半导体如何形成空穴? 为什么p型半导体空穴多于自由电子 P型半导体中空穴是怎么扩散的?我的意思是N型半导体的自由电子因为没有共价键的舒服所以能因浓度差在PN结中,但P型半导体中空穴一直被共价键束缚在受主离子旁,受主离子也不能移动,它怎电子电工 PN结为什么电子半导体用N表示,空穴半导体用P表示?是国际统一规定的吗?电子：Electron空穴：Hole 半导体材料中形成pn结,是不是一定要先有p型半导体跟n型半导体?P型硅中是怎么形成pn结的?我主要纠结在,p型硅中是怎么形成pn结的,我比较纳闷的是,如果第一个问题成立,那p型硅中另外一种半半导体中的空穴数量大大超过自由电子的数量,成为空穴导电为主的半导体,称为?型(A)N型(B)P型(C)PN型(D)NP型关于导带、价带的问题：P型半导体价带上面电子浓度和空穴浓度那一个大?我只知道本征半导体导带上面的电子浓度是很小的,也就是说价带上的空穴浓度是很小的.可是如果P参杂了以后,空穴在模电中,关于pn结的其中一个问题：P区是空穴多,空穴带的是正电,应该显正电,为何图中带负电；N区反之?求解! PN节二极管由于半导体掺杂 P型半导体是空穴多于电子 N型半导体是电子多于空穴这样P和N组合就有了一个PN节当电子和空穴复合就形成了内电厂（PN节）.当加上外电场时P区接+N区—时（电子半导体分空穴P型,电子N型,P N分别是什么单词的缩写? 半导体分空穴P型,电子N型,P N分别是什么单词的缩写? N、P型半导体能导电吗?二极管相当于PN型两块半导体组成的,使它有单向导电性,我想问的是单块半导体如：P型半导体能导电吗?另外还有,为什么同一块P型半导体中既有空穴（多子）又有自由怎样在p型半导体上形成pn结关于pn结中的光生伏特效应的光生载流子的运动的问题pn结的光生载流子为什么由于内建电场的作用电子向N区运动空穴向P区运动,它怎么不是由于扩散运动电子向P区扩散,空穴想N区扩散呢?或