PN结的内电场方向是啥P,N区由于浓度差,引起N区电子向P区扩散,同样P区空穴也向N区扩散,扩散的结果,在交界面两侧留下不能移动的正负离子,它们之间相互作用,生成一个电场,方向由N区指向P区,

PN结的内电场方向是啥P,N区由于浓度差,引起N区电子向P区扩散,同样P区空穴也向N区扩散,扩散的结果,在交界面两侧留下不能移动的正负离子,它们之间相互作用,生成一个电场,方向由N区指向P区, 关于PN结的问题《模拟电子技术基础》中说PN结中的内建电场是由于P区带有不能自由移动的负电荷,而N区带有不能自由移动的正电荷,所以PN结之间就会产生一个由N指向P的内建电场,但是我想问 PN结形成是扩散电流的形成原因各种比较权威的书本上解释说：PN结形成过程中的扩散电流是由于P极和N极载流子浓度不一样,存在浓度差而形成的.载流子中的自由电子不是只有受到电场作用 pn结内产生电场 电场方向从n指向p 书上说在这个pn结产生的电厂内会阻止多子运动 我的理解恰好相反p这面都是空穴（负电）n那边都是带正电的电子 电场方向又是从n到p 在n端的正电子当然会 PN结加正向电压,是指P区接电源的什么极,N区接电源的什么极.此时,PN结内电场是多少 PN结的导电①如果把PN结弄断,单独P区如何导电?②物理上说电流是由于电子的移动产生的.PN结正偏时,P结中导电的是多子空穴,③PN结反偏时,为什么电流截止?（别说内电场增强而阻止,内电场方 PN结的扩散电流,N区向P区 电子浓度 的原因朝一个方向流,为什么反方向是扩散电流的方向?原因? 关于pn结中的光生伏特效应的光生载流子的运动的问题pn结的光生载流子为什么由于内建电场的作用电子向N区运动空穴向P区运动,它怎么不是由于扩散运动电子向P区扩散,空穴想N区扩散呢?或 PN结内电场为什么是从N指向P区? 我想知道为什么pn结的内建电场无法直接测量pn结的内建电场无法直接测量,这是肯定的,除了两端接触处形成肖特基势垒外,还有一个原因我不知道怎么表述.从pn结的电势来看,既然n区的电势比p PN结那边是带正电那边带负电.这个图内电场的方向怎么确定的.加个电源上去加在那边正向导通.漂移移动是怎么产生的啊?P区原子失去一个电子不是带正电吗？N区多了很多自由电子不是带负 关于PN结的问题关于PN结势垒的问题~对比PN结能带图和电势分布图~问题是这样的：按能带图来看~P区应该比N区势垒要高~所以p区相对n区能带会向上弯曲~但是内建电场由n指向p是不是说明n区势 晶体管的PN结允许电子通过的方向是由P到N还是N到P?为什么? PN结中内电场阻止多子扩散的详细机理是什么?追问我最想知道这个问题 回答PN结中内电场对多子有作用力 追问问题是我很想知道这个力是怎么个作用法.我就是想知道,内电场由n区指向p区,怎 PN结又称为（ ）,在动态平衡条件下,PN结电性呈（ ）.PN结内的电场称为（ ）,其方向从（ ）指向（ PN结的原理问题~正向偏置的电流流向问题PN结在平衡状态下空间电荷区有从N-〉P的电场.我的问题是当电源正向接PN结（P接正极,N接负极）时候,电流是如何穿过这个空间电荷区的~P里的载流子 PN节二极管 由于半导体掺杂 P型半导体是空穴多于电子 N型半导体是电子多于空穴 这样P和N组合就有了一个PN节 当电子和空穴复合就形成了内电厂（PN节）.当加上外电场时P区接+N区—时（电子 外电路如何产生空穴PN结处因为多数载流子耗尽及内建电场的方向问题,只有少子的漂移运动,而耗尽区无法提供载流子.但是想象如下的情况：PN结加正向偏置电压,扩散运动加强,N区的电子扩散