一个关于P沟道MOS管的疑问?P沟道MOS管是有两个带正电的P区,镶在一个N 型的半导体中,当S点的电位高于G点到一定程度,会产生一个垂直向上的电场,受电场作用,N型半导体中的多子电子向下运动,

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/06 01:33:48

一个关于P沟道MOS管的疑问?P沟道MOS管是有两个带正电的P区,镶在一个N 型的半导体中,当S点的电位高于G点到一定程度,会产生一个垂直向上的电场,受电场作用,N型半导体中的多子电子向下运动,
一个关于P沟道MOS管的疑问?
P沟道MOS管是有两个带正电的P区,镶在一个N 型的半导体中,当S点的电位高于G点到一定程度,会产生一个垂直向上的电场,受电场作用,N型半导体中的多子电子向下运动,少子空穴向上运动,也就型成了一条由空穴构成的导电沟道.如此时S点的电位高于D点,那么就回有电流通过沟道进行传导.

一个关于P沟道MOS管的疑问?P沟道MOS管是有两个带正电的P区,镶在一个N 型的半导体中,当S点的电位高于G点到一定程度,会产生一个垂直向上的电场,受电场作用,N型半导体中的多子电子向下运动,
那要看是增强型的还是耗尽型的.一般Vgs是负压.具体那种是正,哪种是负我忘了.但是你的说法没有错!

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