在杂质半导体中多子与少子浓度不同为什么半导体呈中性?

在杂质半导体中多子与少子浓度不同为什么半导体呈中性? 问个半导体多子少子的问题1.在杂质半导体中多子的数量与 ( a )（a.掺杂浓度、b.温度）有关.2.在杂质半导体中少子的数量与 ( b )（a.掺杂浓度、b.温度）有关. 在杂质半导体中,温度变化时,载流子的数目变化吗?少子与多子变化的数目相同吗?少子与多子浓度的变化相同吗? 为什么,在室温附近,温度升高,杂质半导体中少数载流子浓度升高. 为什么要在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质? 温度升高,杂质半导体中多子浓度有变化吗? 填空；在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于（）,而少数载流子的浓度则与本征激法有很大关系.双极填空；在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于（）,而少数载流子的浓度则与本征 ．在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于（ ）,而少子的浓度则受（ ）的影响很大．温度 B．晶体缺陷 C．掺杂工艺 D．掺杂浓度 关于杂质半导体的问题为什么自由电子的浓度大大高于空穴的浓度而N型半导体依然呈电中性. 本征半导体掺入微量的五价元素,则形成什么型半导体,其多子为什么,少子为什么? 关于多子和少子!在,PN结中,为什么多子与温度关系小,而少子与温度有很大关系呢? 杂质半导体? 关于本征半导体对于掺有杂质的半导体,其中的多数载流子主要就是由杂质电离所提供,而其中的少数载流子则是由本征激发所产生的.但是,为什么在杂质全电离情况下,多数载流子浓度基本上 掺杂半导体电子浓度计算在本征硅中掺入1%的As后,设杂质全部电离.请问该杂质半导体中的载流子浓度是多少?（本征硅的载流子浓度ni = 1.5*10^10每cm^3） 为什么“在纯净的半导体中掺入微量的杂质,会使半导体的导电性能大大增强”? 为什么在纯净的半导体中渗入微量的杂质,会使半导体的导电性能大大加强? 温度如何影响杂志半导体的载流子浓度包括多子何少子,谁的变化显著 简单叙述杂质半导体多子浓度受温度影响