PN结中内电场阻止多子扩散的详细机理是什么?假如我把N型半导体换成金属片,是否能形成极限不对称pn结?我的个人理解是:当p区耗尽区的空穴被填充,这个三价杂质和硅形成的稳定结构,但
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/21 21:07:21
PN结中内电场阻止多子扩散的详细机理是什么?假如我把N型半导体换成金属片,是否能形成极限不对称pn结?我的个人理解是:当p区耗尽区的空穴被填充,这个三价杂质和硅形成的稳定结构,但
PN结中内电场阻止多子扩散的详细机理是什么?假如我把N型半导体换成金属片,是否能形成极限不对称pn结?
我的个人理解是:
当p区耗尽区的空穴被填充,这个三价杂质和硅形成的稳定结构,但是这个杂质却因为多了一个电子而带负电,而这个多出来的电子因为还受n区杂质原子正电的影响不能向p方向远去(形成了一个内电场)。从而这个负电结构多了,就形成了负电层,这个负电层与n区的电子相互排斥,当n区杂质原子的吸引力大于负电层的排斥力,耗尽区继续增大,增大后负电层排斥电子的力就会也跟着增大,直至和吸引力相等,耗尽区就稳定了。
这个内电场其实就是这个负电层形成的基础。而这个负电层才是阻止多子扩散的关键。
不知我的理解和猜测对不对。
PN结中内电场阻止多子扩散的详细机理是什么?假如我把N型半导体换成金属片,是否能形成极限不对称pn结?我的个人理解是:当p区耗尽区的空穴被填充,这个三价杂质和硅形成的稳定结构,但
你的理解有偏颇.
将p型半导体与n型半导体制作在同一硅片上,在他们的交界面就形成pn结,pn结具有单向导电性,这些你应该都知道吧,p型半导体的多子是空穴,n型半导体的多子是电子,多子会进行扩散运动,即p区的空穴向n区扩散,与n区 的电子复合,而n区的电子向p区扩散,与p区的空穴复合,在交界面附近多子的浓度下降,p区出现负离子区,n区出现正离子区,它们不能移动,称为空间电荷区,从而形成内电场,随扩散运动进行,空间电荷...
全部展开
将p型半导体与n型半导体制作在同一硅片上,在他们的交界面就形成pn结,pn结具有单向导电性,这些你应该都知道吧,p型半导体的多子是空穴,n型半导体的多子是电子,多子会进行扩散运动,即p区的空穴向n区扩散,与n区 的电子复合,而n区的电子向p区扩散,与p区的空穴复合,在交界面附近多子的浓度下降,p区出现负离子区,n区出现正离子区,它们不能移动,称为空间电荷区,从而形成内电场,随扩散运动进行,空间电荷区加宽,内电场加强,其方向由n区指向p区,正好阻止多子的扩散。不是很明白的,你自己画个图就知道了。你说的其实也差不多就是这个意思。不知道你想知道的是不是这个。
收起